Au/n-Si Schottky diyotlarında, düşük frekanslarda C-f karakteristiklerinde uzay yükü sığasına ilave olarak ortaya çıkan artık kapasite araştırıldı. Omik kontak direnci yüksek ve omik kontak direnci ihmal edilecek kadar düşük olmak üzere iki adet Schottky kontağı arayüzey tabakasız MS Au/n-Si diyot imal edildi. Ayrıca, Schottky kontağı arayüzey tabakalı, omik kontak direnci yüksek ve omik kontak direnci ihmal edilecek kadar düşük olmak üzere iki adet MIS diyotu yapıldı. Bu diyotların oda sıcaklığında l-V ve C-f ölçümleri alınarak karakteristikleri incelendi. Omik kontak direnci düşük ve arayüzey tabakasız diyotta, C-f eğrisinin 200 Hz 'den 2.0 MHz 'e kadar sabit kaldığı gözlendi. Omik kontak direnci düşük arayüzey tabakalı diyotta artık sığa değerinin düşük olduğu, buna karşılık Omik kontak direnci yüksek arayüzey tabakasız diyotta ise artık sığa değerinin daha büyük ve hem Omik kontak direnci yüksek hem de arayüzey tabakalı diyotta ise artık sığa değeri en büyük olarak tespit edildi. Bu gözlemlere göre Au/n-Si Schottky diyotlarında, C-f karakteristiklerinde düşük frekanslarda görülen uzay yükü sığasına ilave kapasitenin sadece arayüzey hallerinden ileri gelmediği, bunun yanında omik kontak direncinin belirgin bir katkısının olduğu ve artık sığanın sadece arayüzey hallerinin bir ölçüsü olamayacağı sonucuna varıldı.

The excess capacitance in the Au/n-Si Schottky diodes, at low frequencies appeared to be added to the space charge capacitance in the C-f characteristics has been studied. Two intimate MS Au/n-Si Schottky diodes with perfect and imperfect ohmic back-contact have been made. In addition, two MIS SBDs with perfect and imperfect ohmic back-contact has been made. The current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of the diodes were measured at room temperature, and the characteristics were investigated. In the intimate SBDs with perfect ohmic back-contact, that the C-f curve doesn't change in the range of frequency from 200 Hz to 2.0 MHz has been observed. That the excess capacitance value in the MIS diode with perfect ohmic back-contact is to be lower, however in the intimate MS diode with imperfect ohmic back-contact is to be higher, and in the MIS diode with imperfect ohmic back-contact is to be highest have been determined. Thus, it has been concluded that the excess capacitance in the Au/n-Si Schottky diodes, at low frequencies appeared to be added to the space charge capacitance in the C-f characteristics has been caused not only by the interface states but also poor backside contacts, and cannot be used to extract the results related to only the interface states.