Low-temperature visible photoluminescence spectra of Tl2 GaInSe4 layered crystal
Tl2GaInSe4 tabakalı kristallerin fotolüminesans (PL) spektrumları 10-95 K sıcaklık, 0.04-3.98 $Wcm^{-2}$ uyarıcı laser şiddeti ve 675-730 nm dalga boyu aralığında incelendi. 10 K sıcaklık ve 1.40 $Wcm^{-2}$.uyarıcı laser şiddetinde pik enerji pozisyonu 1.912 eV'da (648 nm) yer almaktadır. 0.105 eV yarı yükseklik genişliğine sahip emisyon bandı asimetrik Gaussian çizgi şeklindedir. Artan sıcaklık ve azalan uyarma şiddetiyle bu bandın kırmızıya kaydığı gözlendi. Gözlemlenen fotolüminesansın açıklanması için, iletkenlik bandının 0.357 eV altında elektronların işgal ettiği bir donor seviyesi ve valans bandının 0.034 eV üzerinde boşlukların işgal ettiği bir akseptor seviyesi tarafından oluşturulan donor-akseptör çifti radyatif rekombinasyon mekanizması teklif edildi. Emisyon bandı pik enerjisinin ve şidetinin artan uyarıcı lazer şiddeti ile sırasıyla maviye kayması ve sub-lineer artışı, homojen olmayan dağılım gösteren donor-akseptör çifti rekombinasyon modeli ile açıklandı.
TI2GaInSe4 tabakalı kristalinin düşük sıcaklıklarlardaki görünür lüminesansı
The photoluminescence (PL) spectra of TI2GaInSe4 layered single crystals were investigated in hhe 10-95 K temperature, in the 0.04-3.98 $Wcm^{-2}$ excitation laser intensity, and in the 675-730 nm , wavelength range. The peak energy position of the emission band is located at 1.912 eV (648 nm) at 10 K ,and an excitation intensity of 1.40 $Wcm^{-2}$. The emission band has a half-width of 0.105 eV and an asymmetric Gaussian line shape. The red shift of this band with increasing temperature and with decreasing excitation intensity was observed. To explain the observed PL behaviour, we propose that the Demission is due to radiative recombination of a donor-acceptor pair, with an electron occupying a donor 'level located at 0.357 eV below the conduction band, and a hole occupying an acceptor level located at 10.034 eV above the valance band. The blue shift of the emission band peak energy and the sublinear increase of the emission band intensity with increasing excitation intensity is explained using the ; inhomogeneously spaced donor-acceptor pair recombination model.