Nadir Toprak katkı atomlarının (Er) GaTe'ün düşük sıcaklık fotolüminesans (PL) spektrumuna etkisi incelendi. Artan Er konsantrasyonu ile 1735.0 meV'da yerleşmiş olan kirlilik bandının şiddeti azalırken, 1782.6 meV'da yerleşmiş olan serbest eksiton bandı şiddetinin arttığı bulundu. 10 K'de eksitonik yayınlama şiddetinin Er katkılanmış numuneler için katkılanmamış numunelerdekinden oldukça yüksek olduğu bulunmuştur. Eksitonik yayınlama Er katkılanmış numuneler için 200 K'e kadar gözlenebilirken, katkılanmamış numuneler için 90 K'de sönümlenmiştir. Serbest eksiton yayınlama bandı şiddetinin artması ve daha yüksek sıcaklıklarda sönümlenmesi nadir toprak elementlerinin iyileştirici etkisi ile ilişkilendirildi.

The effect of Rare Earth (RE) dopant atoms (Er) on low temperature photoluminescence spectra (PL) of GaTe has been investigated. The free exciton emission band, located at 1782.6 meV, was found to increase while the impurity band, located at 1735.0 meV, decreased with the increasing Er concentration. For the Er doped samples, the excitonic emission was found to be fairly higher than that of the undoped samples at 10 K. Excitonic emission quenched at 90 K for undoped samples while it reached up to 200 K for the Er doped samples with the increasing Er concentration. Increasing of the free exciton emission band intensity and being quenched at higher temperatures were associated with the healing effect of the RE elements.