Hatice ASIL UĞURLU

Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması

Comparison of I – V Methods for Determination of Ti/ p-Si Schottky Diode Parameters

Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi

2022-Cilt: 27 - Sayı: 1

158-167

Schottky diyot, Engel yüksekliği, Norde fonksiyonu, Cheung- Cheung fonksiyonları, I-V yöntem, Sıcaklık bağlılık

Schottky diode, Barrier height, Norde function, Cheung-Cheung functions, I-V method, Temperature dependence

23232