Bu çalışmada, doğrusal olmayan bir transistör olan HEMT’in doğrusal davranışı Y ve Z parametreleri çıkarılarak bulunmuştur. Doğrusal davranışının elde edilmesinde HEMT’in küçük sinyal eşdeğer devresinden faydalanılmıştır. HEMT'in küçük sinyal eşdeğer devresine göre Y-parametre değerleri belirlenmiştir. Y-parametre değerleri Z-parametrelerine dönüştürülmüş, giriş ve çıkış empedans değerleri bulunmuştur. HEMT'in 300K sıcaklığındaki devre parametre değerlerine göre transfer fonksiyonu tespit edilmiştir.

In this study, the linear behavior of non-linear transistor HEMT was obtained by finding the parameters of Y and Z. It was benefited from small-signal equivalent circuit of HEMT in the determination of its linear behavior. For this aim, Y-parameter values were determined by means of the small signal equivalent circuit of HEMT. Y-parameter values were transformed into Z-parameter values, and its input and output impedance values were determined. The transfer function of HEMT was determined by using the values of circuit parameter at 300K temperature