Programlanabilir Doğrudan Katılaştırma (directional freezing) tekniğiyle büyütülen GaTe tabakalı kristali üzerinde bir dizi omik kontak çalışması yapıldı. Transmission Line Method (TLM) (Ladder Network) tekniği kullanılarak yapılan spesifik omik kontak direnci ölçümlerinde kontak malzemeleri olarak In, Au, Al, Ag elementleri ve Au-In alaşımı kullanıldı. Basamaklı (ladder) yapı, gölge maske (shadow mask) kullanılarak kristal üzerine transfer edildi. En düşük omik kontak direnci, In elementi için $200^ circ C$ ve 2.5 dk tavlama şartlarıyla $2.5pm1.4.10^{-5}$ $Omega cm^2$ olarak belirlendi. Diğer kontak malzemeleri yüksek kontak direnci sebebiyle omik kontak direnci ölçümlerine izin vermezken, bu elementlerden metal-GaTe yapıya bir tek In elementinin omik karakter kazandırdığı anlaşıldı. Bu yapı üzerinde altı aya kadar yapılan yaşlanma ölçümlerinde yapının kararlılığının korunduğu ortaya çıktı. Farklı tavlama şartları kullanılarak hazırlanan In-GaTe omik kontakları için XRD tekniğiyle yapılan yapısal karakterizasyon çalışmasında, metal yarıiletken arayüzeyde oluşan GaInTe2 alaşımına ait en yüksek pik değerinin tavlanmamış yapıda elde edildiği gözlendi.

A systematic study on ohmic contact formation to GaTe layered crystal grown by directional freezing method has been introduced. In this study the Ladder network (Transmission Line Method, TLM) technique was used for the measurement of specific contact resistance of ohmic contacts to GaTe. In, Au, Al, Ag metals and Au-In eutectic alloy were used as contact element. Ladder pattern formed directly on GaTe surface by evaporation of metals through a pre-patterned shadow mask. With a controllable thermal heat treatment process, the lowest ohmic contact with $2.5pm1.4.10^{-5}$ $Omega cm^2$ was formed by In after annealing at $200^ circ C$ for 2.5 min. Ohmic contacts with that process remained very stable up to six months although the other samples with higher contact resistance processed at $175-250^circ C$ for 2.5-14 min were unstable. X-ray diffraction measurements showed that GaInTe2 formation at In-GaTe interface even prior to annealing process.