FERROELEKTRİK P-N EKLEMIN SIĞA ÇALIŞMASI

Düzgün olmayan arayüzeyli ferroelektrik pn eklem sığa çalışması iki boyutlu (2B) spontan (kendiliğinden) kutuplanma durumunda Ferroelektrikliğin Fenomenolojik Teorisi ve elektrostatik kullanılarak teorik olarak yapıldı. Eklemin sızma bölgesindeki sığasını Gauss Yasasıyla toplam polarizasyon ve elektrik potansiyeli hesabı üzerinden ferroelektrik ve paraelektrik fazda hesapladık. Tanımlanan birimsiz parametrelerle sıcaklık ve gerilim değişimi ile birimsiz eklem kapasitansını değerlendirdik. Bu model özellikle yarıiletken ferroelektrikleri ele almıştır.

Anahtar Kelimeler:

Ferroelektrik, pn eklem, Eklem sığası, Kendiliğinden kutuplanma (Spontan polarizasyon), Yarıiletken ferroelektrik, Ferroelektrikliğin fenomenolojik teorisi

CAPACITANCE STUDY OF FERROELECTRIC P-N JUNCTION

Capacitance study of ferroelectric pn junction having uneven interface was theoretically carried out in case of two dimensional (2D) spontaneous polarization by means of Phenomenological Theory of Ferroelectricity and electrostatics. From the Gauss Law we calculated capacitance via calculation of polarization and electric potential in the depletion region of junction in ferroelectric and paralectric phases. We evaluate dimensionless junction capacitance upon change of temperature and voltage by designation of dimensionless parameters. This model especially deals with semiconductor ferroelectrics.

Keywords:

Ferroelectric, pn junction, Junction capacitance, Spontaneous Polarization, Semiconductor ferroelectric, Phenomenological theory of ferroelectricity,

PDF

___

Schroder, K. Dicter, Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley&Sons, Inc. New York, 1990.
Kasap, S. O., Priciples of Electronic Materials and Devices, Mc Graw Hill, New York, 2002.
Sze, S. M., Semiconductor Devices: Physics and Technology, Jhon Wiley & Sons, Inc. New York, 2002.
Petrosyan, S. et al., Appl. Phys. Lett. 84, 3313-3315, 2004.
Palasantzas, G. and De Hosson, J. Th. M., , Solid State Commun. 118, 203, 2001.
McKinley, K. A., Sandler, N. P. Thin Solid Films 290, 440, 1996.
Scott, J. F., Ferroelectric Memories, Springer-Verlag Berlin 2000.
Meng, X. J. Et al., Appl. Phys. Lett. 78, 2548-2550, 2001.
Sinnamon, L. J., et al. Appl. Phys. Lett. 78, 1724-1726, 2001.
Mcaneney, J., et al. Integrated Ferroelectrics 60, 79-86, 2004.
Lookman, A., et al. Integrated Ferroelectrics 61, 51-58, 2004.
Grove, A. S, Physics and Technology of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, Inc., London, 1967.
Sandomirskii, V.B. et al., Sov. Phys. Semicond. 16(3), 279, 1982.
Sandomirskii, V.B. et al., Ferroelectrics 45, 107, 1982.