Ag/n-GaP Schottky diyotları vakumda metal buharlaştırma metodu ile üretildi. Farklı sıcaklıklarda akım-gerilim(I-V) ölçümleri yapılarak elektronik parametreleri sıcaklığa bağlı olarak belirlendi. İdealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç parametreleri ileri beslem I-V metodu ve Cheung fonksiyonlarından hesaplandı. Ag/n-GaP Schottky diyotunun engel yüksekliğinin sıcaklık artarken arttığı ve idealite faktörünün ise sıcaklık artarken azaldığı belirlendi. 298 K sıcaklıkta, diyotun idealite faktörü 2,01, engel yüksekliği 0,424 eV ve seri direnci ise 4,284 kΩ bulundu.

An Ag/n-GaP Schottky barrier diode was fabricated in vacuum with metal evaporating method. The electronic parameters were investigated by current-voltage (I-V) measurements at different temperatures. The electronic parameters such as ideality factor, barrier height and series resistance were determined from forward bias I-V measurement method and Cheung’s functions at different temperatures. Results indicate that the barrier height of Ag/n-GaP diode increased with increase in temperature, while the ideality factor decreased. İdeality factor, barrier height and series resistance values aredetermined 2.01, 0.424 eV and 4.284 kΩ at 298 K, respectively