Low temperature scanning tunneling microscopy (LT-STM), Ag (111) surface

Bu makalede, Ag (111) yüzeyi deneysel ve teorik olarak detaylı şekilde aratılmıştır. Deneysel çalışma için düşük sıcaklık taramalı tünelleme mikroskopu ve teorik çalışma için STMAFM bilgisayar programı metotları kullanılmıştır. Bunun için nano boyutta veri almak için LT-STM ultra vakum şartlarında doğru bir şekilde kurulmuş ve diğer ekipmanlar dizayn edilmiştir. Deneysel işlemlerle Ag (111) yüzeyinden alınan veriler 5 K de şartlarında alınmıştır. Taramalı tünelleme mikroskopunun çalışması için gerekli karmaşık ekipmanlar ve bu ekipmanların nasıl kurulduğu ve ses ve sinyal izolasyonunun nasıl sağlandığı ve taramalı tünelleme mikroskobunun bir malzeme incelerken nasıl çalıştırıldığı detaylı olarak laboratuarda yapılmıştır. Atomik olarak temizlenmiş Ag (111) yüzeyinden alınan bu veriler analiz edilmiştir. Bunun yanı sıra STMAFM bilgisayar programı yardımıyla Ag atomlan arasındaki mesafe teorik olarak hesaplanacak ve analizi yapılacak ve bunun deneyle tam uyum gösterdiği gösterilecektir. Bu çalışma gelecekteki spintronik aygıtların uygulamasına temel olarak, bilimsel boşluğu doldurduğundan önem arz etmektedir. Aynca, STM'in atomik ölçekte atomları kontrol etmesiyle, bottom-up na-nochip tasarımında, daha küçük ölçekte nanochip dizayn etme yolu açılacaktır.

Anahtar Kelimeler:

:Düşük sıcaklık taramalı tünelleme mikroskobu

PDF

___

[1]. Chen, C. Julian.,Introduction to Scanning Tunneling Microscopy,New York:Oxford Press, 2008. [2]. John, B., Alan, D., Robert, L., Joy, M., Andrew, N. Quantum Physics of Matter, London: Institue of Physics Publishing, 2000. [3]. Mohsen, R. Quantum Theory of Tunneling, Singapore: World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd, 2003. [4]. Chambers,A., Fitch, R.K., Halliday, B.S., Basic Vacuum Technology, London: Institue of Physics Publishing, 1998. [5]. Besocke, K., An Easily Operatable Scanning Tunneling Microscope, Surface Science, 181, 145-153, 1987. [6]. Chunli, B., Gerhard, E., Robert, G., Hans, L., Douglas, L.M., Scanning Tunneling Microscopy and Its Applications, Shanghai, Shanghai Scientific and Technical Publishers, 1992. [7]. Hablanian, M.H., High-Vacuum Technology, APractical Guide, New York: Marcel Dekker, Inc, 1997. [8]. Karl., J., Handbook of Vacuum Technology, Wemheim: Verlag GmbH Co., 2008. [9]. F.O'Hanlon, John. A User's Guide to Vacuum Technolog, New Jersey: John Wiley&Sons, Inc., 2003. [10]. Hla, S-W, Bartels, L., Meyer, G. and Reider K.-H., Inducing All Steps of a Chemical Reaction with the Scanning Tunneling Microscope Tip: Towards Single Molecule Engineering, Phys. Rev. Lett. 85, 2777-2780, 2000. [11]. Hla, S-W, Scanning Tunneling Microscopy Single Atom/Molecule Manipulation and Its Application to Nanoscience and Technology, J Vac. Sci Tech B, 23,1251-1360, 2005. [12]. Eigler, D.M., Schweizer, E.K. Positioning Single Atoms with A Scanning Tunneling Microscope, Nature 344, 524-526,1990. [13]. Shen,T.C. Atomic-Scale Desorption Through Electronic and Vibrational Excitation Mechanism,,Science, 268, 1590-1592, 1995. [14]. Nilius, N., Wallis, T.M., Ho, W., Development of One-Dimensional Band Structure in Artifical Gold Chains, Science, 297, 1853-1856, 2002. [15]. Vacancy scanning tunneling spectroscopy on Ag (111), Poster Presentation, APS March meeting Baltimore, US A, 2006. [16]. Noriaki Takagi, C-L.L., Tsukahara, N., Kawai, M., Arafune, R. Silicene on Ag(lll): Geometric and Electronic Structures of a New Honeycomb Material of Si, Progress in Surface Science, 1-20, 2015. [17]. Seymur Cahangirov, V.O., Atomic Structure of the V3 x V3 Phase of Silicene on Ag(lll), Physical Review B, 1-5, 2014. [18]. Wu, K., Persistent Dirac Fermion State in a Silicon-based Material, Program of the 4th ICQs Conference on Spintronics, Beijing, 15, 2014.