$Al/p-Si$ Schottky diyotların 170-370K sıcaklık aralığındaki $I- V$ ve $C-V$ karakteristikleri incelendi. Deneysel $I-V$ verilerinden, sıfır beslem engel yüksekliği $(Phi_{bo})$ ve idealite faktörünün artan sıcaklıkla azalmakta olduğu gözlendi. Yarılogaritmik $I- V$ eğrilerinin eğimleri orta gerilim bölgesinde hemen hemen sabit olup sıcaklıktan bağımsızdır. Idealitée faktörü birden oldukça büyük ve sıcaklığa kuvvetlice bağlı olup, sıcaklığın tersi ile lineer olarak artmaktadır.İdealite faktörünün birden büyük çıkması Schottky diyotlarda arayüzey durumlarının mevcut olup yeterince yüksek olduğuna atfedildi. $LnI_o/T^2-I/T$ eğrisi 170-375K sıcaklık aralığında lineerdir ve eğiminden hesaplanan aktivasyon enerjisi $approx 0,4e$V bulundu.

$I-V$ and $C-V$ characteristic of $AI/p-Si$ diode were measured in the temperature range 170-375 K. The evaluation of the experimental $I- V$ data reveals an increase of the zero -bias barrier height $(Phi_{bo})$ and a decrease of the ideality factor $(n)$ with increasing temperature. The semilogaritmic plots of the forward $I-V$ curves were found to be linear and the slope was independent of the temperature in the intermediate voltage region $(approx 0,1-0,5)$. The ideality factor $(n)$ was found greater than unity and was strongly temperature dependent changing linearly with inverse temperature. This value of ideality factor was attributed to an order magnitude higher density of interface states in the Schottky diode. $In$ $I_o/T^2$ vs. $I/T$ plot exhibits linearity in this temperature range and activation energy obtained from the slope of the linear partition was found $approx 0,4e$V.