Bu çalışmada, (100) yönlü, p-tip ve özdirenci 14-26 Ohm-cm. olan, silisyum tek kristali kullanılmıştır. Kristalin parlatılmış yüzüne sabit akım koşulu altında, anodik oksidasyon yöntemi ile oksit kaplanmıştır. Anodik oksidasyon işleminde, $C_2H_6O_2(%0,5H_2O)+0.018MNH_4NO_3$ elektroliti kullanılmıştır. Anodik oksidasyon sırasında, gerilim-zaman grafiği x-t kaydedici ile kaydedilmiştir. Oksitlenmiş örnek vakum sistemi ve buharlaştırma odası kullanılarak, yaklaşık $l0^{-6}$ Torr'luk basınç altında alüminyum kaplanmıştır.İmal edilen Al/anodik oksit/p-Si yapısının oda sıcaklığında ve sıvı azot sıcaklığında, kapasite-gerilim değerleri ölçülmüştür. İdeal kapasite-gerilim eğrisi, oda sıcaklığı ve sıvı azot sıcaklığında hesaplanarak çizilmiş. İdeal ve deneysel eğriler kıyaslanarak, arayüzey durumları hesaplanmıştır. Sıvı azot sıcaklığındaki (77 K) arayüzey durum yoğunluğunun, oda sıcaklığındaki (293 K) arayüzey durum yoğunluğuna göre daha düşük olduğu gözlenmiştir.

In this study, the samples used was (100) oriented p-Si single crystals with a resistivity between 14 and 26 ohm.cm. The polished surface of the crystal was anodically oxidized in electrolyte $C_2H_6O_2(%0,5H_2O)+0.018MNH_4NO_3$ under constant current at room temperature under room light. The potential difference between the electrodes was measured with an x-t recorder connected parallel with the cell. As gate electrodes Al dots with a diameter of 1 mm were evaporated on the oxide films grown on Si in high vacuum. The capacitance- Voltage (C-V) characteristics of the samples at room temperature (293 K) and 77 K were measured. The interface state density was determined using the Terman method. The results show that the interface state density att 77 K is lower than the at room temperature.