KİMYASAL DEPOLAMA YÖNTEMİ TEKNİGİYLE BÜYÜTÜLEN CDS FİLİMLERİNDE FOTOİLETKENLİK ÇALISMALARI

CdS filmleri 60 °C de karıştırmaksızın kimyasal depolama yöntemiyle hazırlandı. Filmlerin optiksel özellikleri filmin kalınlığına bağlı olduğu görüldü. Enerji aralığı optiksel soğurma ölçümlerden 2.42 eV olarak elde edildi. Karanlık iletkenliğinin aktivasyon enerjisi direnç özelliklerinden 0.45 eV olarak bulundu. AC fotoiletkenlik datalarından, CdS filmleri için iki farklı zaman sabiti 7.35 ms ve 36.5 ms, biri hızlı sönümleme bileşeni, diğeri yavaş sönümleme bileşeni olarak ölçüldü

PHOTOCONDUCTIVITY STUDIES ON CDS FILMS GROWN BY CHEMCAL BATH DEPOSITION TECHNQUE

CdS films were prepared by chemical bath deposition (CBD) at 60 °C without stirring. The optical properties of the films were seen to be dependent on the film thicknesses. The band gap energy obtained as 2.42 eV from the optical absorption measurements. The activation energy of the dark conductivity found to be 0.45 eV from the resistance measurements. Two different time constants were measured, one for fast decaying component and one for slow decaying component as 7.35 ms and 36.5 ms, for CdS films from the AC photoconductivity data