Savaş SÖNMEZOĞLU, Seçkin AKIN

Kapasitans‐Voltaj (C‐V) Yöntemiyle Sb Katkılı TiO2 / n‐Si MIS Yapının Seri Direnç Parametresinin Hesaplanması

The Determination of Series Resistance Parameter of Sb‐Doped TiO2 / n‐ Si MIS Structure by Capacitance‐Voltage (C‐V) Method

Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi

2011-Cilt: 11 - Sayı: 1

1-8

C‐V karakteristiği, I‐V karakteristiği, Seri direnç, Engel yüksekliği, Arayüzey durumları

1321

Benzer Makaleler

Akış Kontrollü Sistemde Isıl Fırın Tasarımı ve İmalatı

Harran Üniversitesi Mühendislik Dergisi

Cengiz DOĞAN, Hüseyin KARASU

ON THE DENSITY DISTRIBUTION PROFILES OF INTERFACE STATES

Engineering Sciences

Ibrahim YÜCEDAĞ

Aynı Şartlarda Hazırlanmış Al/Bi3Ti4O12/n-Si (MFS) diyotların (60 Adet) Engel Yükseklikleri İle İdealite Faktörlerindeki Dağılım

Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji

Hayriye Gökçen ÇETİNKAYA

Au/C20H12/n-Si (MPS) Yapının Elektriksel Özelliklerinin Frekansa Bağlı İncelenmesi

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi

Au/(PrBaCoO nanofiber)/n-Si Yapılarda Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Frekans ve Gerilime Bağlı Dağılım Profillerinin Farklı Metotlarla Elde Edilmesi

Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji

Selçuk DEMİREZEN

(MYY) Schottky Diyotlarda Akım-Voltaj Karakteristikleri Üzerine Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Etkisi

Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi

Cu/n-InP/In Schottky Diyotların Sıcaklığa Bağlı Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Ölçümlerinden Elde Edilen Karakteristik Parametrelerinin İncelenmesi

Erzincan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi

Fulya Esra CİMİLLİ ÇATIR

Au/n-Si/Al Schottky Diyotlarında Arayüzey Hallerinin I-V Karakteristiklerine Etkileri

Cumhuriyet Science Journal

Nezir YILDIRIM, Mücahide GÖNDÜK, İkram ORAK