Bu makalede farklı diyotlar ve geometriler ile entegre edilmiş aktif model mikroşerit yama anten tasarımı ve pasif modelleri ile karşılaştırılması gösterilmiştir. Mikroşerit Yama Antenlerin sahip oldukları empedans değeri bilindiği gibi komplekstir ve frekansla değişmektedir. Bu nedenle aktif bir eleman olan diyot kullanarak kapasitif reaktans etkisi sayesinde aktif model mikroşerit yama antenin sahip olduğu empedans üzerinde birebir etki ederek maksimum güç iletimi sağlanması ve anten parametrelerinin sonuçlar üzerindeki etkisinin incelenmesi amaçlanmıştır. Tasarlanan Antenlerin tamamı 2,4 Ghz ISM bandı üzerinde çalışmaktadır. Schottky bariyer diyot, Değişken kapasiteli diyot ve ayarlanabilir diyot tipinde 3 farklı tip diyot kullanılmış ve bunların ters gerilim-kapasite eğrisi referans alınmıştır. Kullanılan diyot sayısı 4 olup bunlar sırasıyla bas70, bas83, bb619, bb721 ile isimlendirilen yüzey montajlı diyotlardır. farklı diyotlar ve farklı mikroşerit yama modelleri kullanarak moment metodu vasıtasıyla AWR Design Environment Microwave Office 2007 (MWO) simülasyon programı yardımıyla analiz edilmiş ve LAN uygulamaları yada kablosuz alıcı verici sitemler için hazır devreler meydana getirilmiştir. Tasarlanan Antenlerin geri dönüş kaybı -25.54 dB ile -36.17 dB arasında değişmekte olup, pasif antenler ile karşılaştırıldığında kazancı çok değişmemekte olmasına rağmen VSWR ve giriş empedansı pasif modele göre tatminkâr seviyede sonuçlar vermiştir.

This paper is presentation of designed different diodes loaded active model dissimilar geometries of micro strip patch antennas. As known, mikrostrip patch antennas have complex impedance and its impedance changes with frequency. Because of this, imaginer part of micro strip patch antennas is minimized by effect of diodes having capacitive reactance thus maximum power radiating is occurred. The aim of this project is to present different diodes loaded patch antenna for ISM 2.4 Ghz and to indicate active antenna performance according to influence of locations and dc biasing of diodes then to compare the antenna parameters of passive models. Besides, this project is used three types of diodes which are schottky Barrier diodes, silicon variable capacitance diode and tuner diode and four diodes whose are bas70, bas83, bb619 and bb721. The simulation programmer is AWR Design Environment Microwave Office 2007 (MWO) whose analysis meted is moment (Mom). Finally, the antennas that are projected are ready condition for LAN application or wireless RF receiver-transmitter systems. Return loss of designed antennas are between -25.54 dB and -36.17 dB. Gain does not change a lot but results of VSWR and Input impedance is satisfactory when comparing the passive model's results.