Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi

Bu çalışmada. makro (95 mini) ölçekte gözenekli silisyum (PS) l'oıolüminesansının (PL) uzaysal dağılımı ve uyanma enerjisinin bu dağılıma etkisi görüntü spektroskopisi tekniği (IS) yardımı ile incelenmiştir. PL'nin uzaysal dağılımı, makro ölçekte homojen değildir ve uyarma enerjisine bağlı olarak bölgesel farklılıklar gösterir. Gözenekli silisyumun teknolojik uygulamalarında, verimliliğinin artması için görüntü spektroskopisi çalışmaları önemlidir. Fotolt’ımiııesansın tek düze bozukluğu PS uygulamalarına geçilmeden önce çözülmelidir ve bu ııedenle üretiııı teknolojileri tekrar ele alınmalıdır

Anahtar Kelimeler:

Gözenekli silisyum, fotolüıninesans. görüntü spektroskopisi tekniği

PDF

___

[1] Canham, LT, 1990. Appl. Phys. Lett, 57, 1046 — 1048.
Cullis, AG and Canham, LT, Nature, 1991. 353, 335.
Wang, J, Jiang, H, Wang, W, Zheng, J, Zhang, F, Hao, P, X, Hao and X, Wang, 1992. Phys. Rev. Lett, 69, 3252.
Guerrero—Lemusa, R, Moreno JD, MartinPalma R.], Ben—Hander, F, Martinez—Duart JM, Fien‘o, JLG, Gomez—Garrido, P, 1999. Thin Solid Films, 354,34— 37. Baolin L.. Bingxi J., Journal of Crystal Growth, 247 (2003)445-457.
Shinji. Yae , Yukinori Kawarnoto. Hiroyuki Tanaka,
Naoki Fukumuro, Hitoshi Matsuda, 2003. Electrochemistry Communications 5, 632—636.
Fujiwara, Y, Nishitani, 11, Nakata, H, Ohyama, T, 1992. Jpn. ]. Appi. Phys. 31, L1763. Materials Science and Engn. B86, 26—28.
Hossain, SM, Das, J, Chakraborty, S, Dutta, SK, Saha, H, 2002. Semicond. Sci, Technol. 17, 55—59.
Nakagava K. et al. 1992. lan. Appi. Phys, 31 L515-L517, part 2, No. 4B,
Pi'okes, SM. 1993. Bull. Am. Phys. 800,381, 157. _
Kanemitsu, Y, Uto, H, Matsumato, Y, Futagi, T and" Mimura, H, 1993. Phy. Rev. B48, 2857.
Nasır, MI, PhD 1994. Thesis, School of Physics and Space Research, The University of Birmingham.
Halimaoui, A, 1995. Porous silicon: material processing, properties and applications, Porous silicon science and technology, Edited by: Jean- Clode Vial et a1. p.33, Springer-Verlag.
Lehmann, V, 1993. Micro porous silicon: Formation mechanism and preparation method, Optical properties of low dimensional Silicon structures, Edited by: Daniel C. Bensahel et al., p.2, Kluwer Aced. Press.
Nishitani, H, Nakata, H, Ohyurna, T and Fujiwara, Y, 1992. The Proceeding of the 21 st International Conference on the Physics of Semiconductors (word sci., Singapore, P.1455.
Searson, PC, Macauley, IM and Prokes, SM, 1992. Electrochem. Soc. 139, 3373.