KİMYASAL BUHAR BİRİKTİRME YÖNTEMİ İLE GRAFEN SENTEZİNE TAVLAMA VE BÜYÜTME SÜRELERİNİN ETKİSİ

Son yılların en ilgi çekici malzemelerinden biri olan grafen yüksek iletkenlik, yüksek dayanım ve saydamlık gibi birçok üstün özelliğe sahiptir. Grafenin kimyasal buhar biriktirme tekniği kullanılarak sentezlenmesinde, büyütme sıcaklığı, büyütme süresi, tavlama süresi, basınç, kullanılan alt-taş, kullanılan gazların saflıkları ve akış miktarları gibi birçok parametre etkilidir. Bu parametrelerden büyütme ve tavlama süreleri grafen sentezinde en önemli parametrelerdendir, bu nedenle bu çalışmada büyütme ve tavlama sürelerinin tek katmanlı homojen grafen sentezine olan etkisi araştırılmıştır. Farklı büyütme ve tavlama süreleri kullanılarak üretilen grafen filmler Raman Spektroskopisi tekniği kullanılarak karakterize edilmiş olup tek tabakalı homojen grafen sentezi için üretim süreci optimize edilmiştir. Genel anlamda tavlama sürelerinin 20 dakikadan 40 dakikaya kadar arttırıldığı deney gruplarında grafen kalitesinde ciddi bir değişim gözlenmemiştir. Büyütme sürelerinin arttırıldığı deney gruplarında ise 40 dakikaya kadar olan süre artışlarıyla doğru orantılı olarak grafen kalitesinin iyileştiği tespit edilmiştir.

Effect of the Annealing and Growth Time on Graphene Synthesis via Chemical Vapor Deposition Method

Due to its superior properties such as, has high conductivity, high durability and transparency, graphene is one of the most attractive material in recent years. The important parameters that affects graphene synthesis using chemical vapour deposition technique are growth temperature, growth time, annealing time, pressure, growth substrate, gas purity and gas flows. Among these parameters the growth time and annealing time are the most important parameters for graphene growth, thus in this study the effect of growth and annealing time on homogenous single layer graphene were investigated. The grown graphene films by using different growth and annealing time were characterized via Raman Spectroscopy technique and as a result single layer graphene growth process were optimized. In general, there was no significant change in the quality of the graphene in the experimental groups where the annealing time was increased from 20 minutes to 40 minutes. In the experimental groups where the growth time was increased, it was determined that the graphene quality improved with the time increases up to 40 minutes.

___

Ago, H., Ogawa, Y., Tsuji, M., Mizuno, S. ve Hibino, H., 2012, Catalytic growth of graphene: toward large-area single-crystalline graphene, The journal of physical chemistry letters, 3 (16), 2228-2236.
Aïssa, B., Memon, N. K., Ali, A. ve Khraisheh, M. K., 2015, Recent progress in the growth and applications of graphene as a smart material: A review, Frontiers in Materials, 2, 58.
Bae, S., Kim, H., Lee, Y., Xu, X., Park, J.-S., Zheng, Y., Balakrishnan, J., Lei, T., Kim, H. R. ve Song, Y. I., 2010, Roll-to-roll production of 30-inch graphene films for transparent electrodes, Nature nanotechnology, 5 (8), 574.
Bonaccorso, F., Colombo, L., Yu, G., Stoller, M., Tozzini, V., Ferrari, A. C., Ruoff, R. S. ve Pellegrini, V., 2015, Graphene, related two-dimensional crystals, and hybrid systems for energy conversion and storage, Science, 347 (6217), 1246501.
Capasso, A., Dikonimos, T., Sarto, F., Tamburrano, A., De Bellis, G., Sarto, M. S., Faggio, G., Malara, A., Messina, G. ve Lisi, N., 2015, Nitrogen-doped graphene films from chemical vapor deposition of pyridine: influence of process parameters on the electrical and optical properties, Beilstein journal of nanotechnology, 6, 2028.
Chae, S. J., Güneş, F., Kim, K. K., Kim, E. S., Han, G. H., Kim, S. M., Shin, H. J., Yoon, S. M., Choi, J. Y. ve Park, M. H., 2009, Synthesis of large‐area graphene layers on poly‐nickel substrate by chemical vapor deposition: wrinkle formation, Advanced Materials, 21 (22), 2328-2333.
Choi, W., Lahiri, I., Seelaboyina, R. ve Kang, Y. S., 2010, Synthesis of graphene and its applications: a review, Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 35 (1), 52-71.
Ferrari, A. C., Meyer, J., Scardaci, V., Casiraghi, C., Lazzeri, M., Mauri, F., Piscanec, S., Jiang, D., Novoselov, K. ve Roth, S., 2006, Raman spectrum of graphene and graphene layers, Physical review letters, 97 (18), 187401.
Geim, A. K. ve Novoselov, K. S., 2007, The rise of graphene, Nature materials, 6 (3), 183.
Hao, Y., Wang, Y., Wang, L., Ni, Z., Wang, Z., Wang, R., Koo, C. K., Shen, Z. ve Thong, J. T., 2010, Probing layer number and stacking order of few‐layer graphene by Raman spectroscopy, small, 6 (2), 195-200.
Li, X., Cai, W., An, J., Kim, S., Nah, J., Yang, D., Piner, R., Velamakanni, A., Jung, I. ve Tutuc, E., 2009, Large-area synthesis of high-quality and uniform graphene films on copper foils, Science, 324 (5932), 1312-1314.
Li, Z., Wu, P., Wang, C., Fan, X., Zhang, W., Zhai, X., Zeng, C., Li, Z., Yang, J. ve Hou, J., 2011, Lowtemperature growth of graphene by chemical vapor deposition using solid and liquid carbon sources, ACS nano, 5 (4), 3385-3390.
Liang, X., Sperling, B. A., Calizo, I., Cheng, G., Hacker, C. A., Zhang, Q., Obeng, Y., Yan, K., Peng, H. ve Li, Q., 2011, Toward clean and crackless transfer of graphene, ACS nano, 5 (11), 9144-9153.
Mattevi, C., Kim, H. ve Chhowalla, M., 2011, A review of chemical vapour deposition of graphene on copper, Journal of Materials Chemistry, 21 (10), 3324-3334.
Wu, X., Zhong, G., D'arsié, L., Sugime, H., Esconjauregui, S., Robertson, A. W. ve Robertson, J., 2016, Growth of continuous monolayer graphene with millimeter-sized domains using industrially safe conditions, Scientific reports, 6, 21152.