Bu çalışmada, iki aşamalı süreç tekniği ile hazırlanmış olan ince film CuInSe2 bileşik yarıiletkenlerin kristal yapısı araştırılmıştır. Farklı Cu/In oranları içerecek şekilde hazırlanmış üç numunedeki Cu, In ve Se miktarları enerji dağılım analizi (EDA) yöntemi ile belirlenmiş ve bu numunelerin alınan X-ışın kırınım (XRD) desenlerinden kristal yapılarının kalkoprit olduğu saptanmıştır. Ayrıca, yapının örgü sabitleri hesaplanmış ve elde edilen sonuçların hacimli (bulk) yapıdaki numuneler ile iyi bir uyum gösterdiği bulunmuştur.

In this study, crystal structures of the compound semiconductor thin films, CuInSe2, prepared by two-stage process technique are investigated. The Cu, In and Se amounts in three samples which are prepared as having different Cu/In ratios are determined by energy dispersive analysis (EDA) technique, and it is found by examining the x-ray diffraction (XRD) patterns that these samples have chalcopyrite crystal structure. Also, the lattice parameters of this structure are calculated and the obtained results are found in agreement with the those which is given for bulk samples.