Bu çalışmada tabakalı bileşiklerden olan SnS ve SnSe yarıiletken malzemelerin, temel band kenarı civarında optik soğurma spektrumları incelenmiştir. Soğurma spektrumları standart yöntemlerle analiz edilmiş, direkt ve indirekt geçiş enerjileri belirlenmeye çalışılmıştır. Bu amaçla indirekt geçiş enerjilerinin tayininde sıkça kullanılan diferansiyel yönteminden yararlanılmış ve numunelerin indirekt geçiş enerjileri ile geçişe katkıda bulunan fononların enerjileri bulunmuştur.

In this study, optical absorption spectra of layered semiconductors, SnS and SnSe, in the fundamental band edge were analyzed. Absorption spectra were investigated by standard methods, direct and indirect transition energies were estimated. For this purpose, by the differential method frequently used especially in the determining of indirect transition energies, transition energy values and the energies of phonons participating in these indirect transitions were calculated.