Hilal Yücel KURT, Gülcan KALKAN, Metin ÖZER, Evrim TANRIVERDİ, Duygu YİĞİT

Çift Gaz Boşalma Aralıklı Plazma Hücresinde GaAs Yarıiletken Yüzeyindeki Oksitlenmenin Sistem Karakteristiklerine Etkisi

GaAs yarıiletken katotlu çift gaz boşalma aralıklı plazma hücresinde sistem karakteristiklerinin oksitlenme nedeniyle kararsızlık sergilediği deneysel olarak elde edilmiştir. Sistem karakteristikleri geniş bir gaz basıncı (p = 28 - 342 Torr), elektrotlar arası mesafe (d1 = 50 µm d2 = 50 - 320 µm) ve D = 9 mm lik yarıiletken katot çapı için deneysel olarak araştırıldı. U = 200-2000 Volt besleme gerilimi altında, Paschen eğrisinden kritik voltaj değerleri belirlendi.

The Effect of The Oxidation on GaAs Semiconductor Surface to the System Characteristics in A DoubleGapped Plasma Cell

The system characteristic in a double gap gas discharge plasma cell with GaAs cathode has been identified to be unstable due to the oxidation, experimentally. The experimental studies include the system characteristics in a wide range of pressures (p = 28 - 342 Torr), interelectrode distances (d1 = 50 µm d2 = 50 - 320 µm) and semiconductor cathode diameter D (9 mm). Under the applied voltage U=200-2000, the critical voltage values from the Paschen curves are determined.

PDF

___

G. Kalkan, "Çift Gaz Boşalma Aralıklı Görüntü Çevirici Hücrede Elektriksel Karakteristiklerin İncelenmesi", Gazi üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Yüksek Lisans Tezi, (2010).
S. Çetin, "Fotodetektörün Fiziksel Özelliklerinin İncelenmesi İçin İyonizasyon Tipli Kızılötesi Görüntü Çevirici Sistemlerin Uygulanması", Gazi üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Yüksek Lisans Tezi, (2010).
P. Hartmann, Z. Donko, G. Bano, L. Szalai and K. R. Ozsa, Plasma Sources Sci. Technol., 9: 183, (2000)
C.Strumpel, Y.A. Astrov and H.G.Purwins, Phys.Rev. E 62: 4889, (2000).
B.G. Salamov, B.G. Akinoglu and N.N. Lebedeva, J. Phys. D: Appl. Phys., 32: 2068, (1999).
A. Bogaertsa, E. Neyts, R. Gijbels and J. Mullen, Spectrochimica Acta Part B, 57: 609, (2002).
N. N Lebedeva, V. I. Orbukh and B. G. Salamov, J. Physique III 6: 797 (1996).
E. I. Ivanova, B. V. Novogrudskii and L. G. Paritskii, Sov. Phys.-Semicond., 6: 1585, (1973).
S. K. Dhali and P. F. Williams, J. Appl. Phys., 62: 4696 (1987).
B.G. Salamov, K. Colakoglu and S. Altindal, Infrared Phys. Technol., 36: 661, (1995).
W. Shockley, "Electrons and Holes in Semiconductors", Van Nostrand, New York, 334-357, (1951).
F. Paschen, Annalen der physik und chemie. 37: 69 (1889).