Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
207-216
GaN, p-i-n yapı, elektrolüminesans, akım-gerilim karakterizasyonu, mobilite
GaN, p-i-n structure, electroluminescence, current-voltage characterization, mobility
CCCII Kullanarak Akım Modlu Kesirli Dereceli Basamak Süzgeç Tasarımı
Harran Üniversitesi Mühendislik Dergisi
Metin NOORATA, Önder KÜÇÜKURAL
Al 0.3 Ga 0.7 N/GaN HEMT Yapısı için QMSA Metodu Uygulanması
Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi
Ahmet BİLGİLİ, Ömer AKPINAR, Naki KAYA, Mustafa ÖZTÜRK
AlInN/AlN HEMT’in Detaylı Optik Özellikleri
Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi
Ömer AKPINAR, Ahmet BİLGİLİ, Mustafa ÖZTÜRK, Süleyman ÖZÇELİK
Selçuk Üniversitesi Sosyal Bilimler Enstitüsü Dergisi
A+Arch Design International Journal of Architecture and Design
Electron field emission from nanostructured semiconductors under photo illumination
Oktay YILMAZOGLU, Anatoli EVTUKH, Shihab AL-DAFFAIE, Jens-Peter BIETHAN, Dimitris PAVLIDIS, Vladimir LITOVCHENKO, L. Hans HARTNAGEL