Esra ERBİLEN TANRIKULU

Al/CdZnO/p-Si (MIS) Yapısının Voltaja Bağlı Arayüzey Durumlarının ve Bu Durumların Gevşeme Sürelerinin Admitans Metodu İle İncelenmesi

Investigation of the Voltage Dependent Surface States and Their Relaxation Time of the Al/CdZnO/p-Si (MIS) Structure Via Admittance Method

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi

2019-Cilt: 9 - Sayı: 3

1359-1366

Admitans metodu, Arayüzey durumları, Gevşeme süresi, Al/CdZnO/p-Si (MIS) tip yapılar

Admittance method, Surface states, Relaxation time, Al/CdZnO/p-Si (MIS) type structures

5624

Benzer Makaleler