Si:Zn yarıiletken dedektörlü görüntü çeviricinin spektral duyarlılığının artırılma ihtimali incelenmiştir. Si:Zn dedektörlü çevirici, sistemin duyarlılığını daha uzun kızılötesi dalga boylarına ($4mu m$ 'ye kadar) genişletmek için yapılmıştır. Kızılötesi radyasyon sistemin ışığa duyarlı dedektörünü uyarır böylece gaz boşalma aralığından yayınlanan görünür ışık emisyonu ve akım yoğunluğunu kontrol eder. Soğutma nedeniyle fotodedektör materyalindeki karanlık akım son derece azaltılmıştır ve gelen kızılötesi radyasyona göre duyarlılık artırılmıştır. Boşalma aralığının büyüklüğü d (70$mu m$) ve gaz basıncı p(70 Torr) yeterince parlak bir ışıma sağlamak için seçilmiştir. İfadeler maksimum fotoğrafık duyarlılık için elde edilmiştir.

The possibility of increasing the spectral sensitivity of an image converter with a Si:Zn semiconductor detector has been studied. The converter with a Si:Zn detector is designed to extend the sensitivity of the system toward longer infrared wavelengths (up to 4$4mu m$). The IR radiation excites the photosensitive detector of the device thus controlling the current density and the visible light emission from the gas discharge gap. Due to the cooling the dark current in the detector material is extremely ,decreased and the sensitivity with respect to the incoming IR radiation is increased. The size of the discharge gap d (70$mu m$) and the residual gas pressure p (70 Torr) are chosen to ensure a sufficiently bright light. Expressions are obtained for the maximum photographic sensitivity.