1910

Ni/n-tipi yarıiletken kompleks Ag Schottky diyotların elektronik özelliklerinin belirlenmesi

Yarıiletken metal kompleksler, organik ve polimer yarıiletkenler farklı yasak enerji aralığına sahip olmaları, ucuz ve değişik özellikte elde edilmelerinden dolayı devre elamanı yapımında önemlidir. Bu çalışmamızda n-tipi yarıiletken özellik sergileyen Na2[Cd(C2O4)2]2,6H2O, Na4[Cd(C2O4)2Cl2], Na2[Co(C2O4)23H2O]1,5H2O ve Na2[Co(C2O4)21,7H2O]2,3H2O toz halindeki oksalad komplekslerinden, $1x10^9$ Pa basınç altında 0,6 mm kalınlığında 8 mm çapında diskler elde edildi. Her numuneden ayrı ayrı elde edilen disklerin bir yüzeyine $10^{-7}$ torr basınç altında metal buharlaştırma metodu ile iş fonksiyonu 5.15 eV olan Ni, diğer yüzeyine ise omik kontak yapmak için iş fonksiyonu 4.26 eV olan Ag kaplanarak Ni/n-tipi yarıiletken kompleks/Ag Schottky diyotları yapıldı. Elde edilen Ni/Na2[Cd(C2O4)2]2,6H2O/Ag, Ni/Na4[Cd(C2O4)2Cl2]/Ag, Ni/Na2[Co(C2O4)23H2O]1,5H2O /Ag ve Ni/Na2[Co(C2O4)21,7H2O]2,3H2O/Ag Schottky diyotları 300K de I-V ölçümleri yapılarak diyot parametreleri iki farklı metotla belirlendi. Diyot idealite çarpanları sırasıyla Kunze metodunda 2.62, 2.78, 2.51 ve 2.05 olarak ve engel yükseklikleri 0.99, 0.93, 0.97, 0.92 eV ve Cheung metodu ile idealite çarpanları 2.63, 2.05, 1.33, 2.14 engel yükseklikleri 0.98 eV, 0.91 eV, 0.88 eV ve 0.91 eV olarak bulundu.

Electronic properties of the Ni/n-type complex semiconductor / Ag Schottky diodes

Due to having different forbidden energy gaps, obtaining by inexpensive and various characteristics, semiconductor metal complexes, organic and polymer semiconductors are important for the production of circuit components. In this study, we made pellets with 0,6mm thickness and 8mm diameter under 1x109 Pa pressure from Na2[Cd(C2O4)2]2,6H2O, Na4[Cd(C2O4)2Cl2], Na2[Co(C2O4)23H2O]1,5H2O and Na2[Co(C2O4)21,7H2O]2,3H2O powder oksalad complexes which show n-type semiconducting property. Ni/ n-type semiconductor complex/Ag Schottky diodes were made by coating the one face of the pellets, which were obtained from each sample, with Ni having 5.15 eV matter function under $10^{-7}$ torr pressure by metal evopration method and coating the other face with Ag having 4,26 eV matter function to make ohmic contact. The diode parameters of the obtained Ni/Na2[Cd(C2O4)2]2,6H2O/Ag, Ni/Na4[Cd(C2O4)2Cl2]/Ag, Ni/Na2[Co(C2O4)23H2O]1,5H2O /Ag ve Ni/Na2[Co(C2O4)21,7H2O]2,3H2O/Ag Schottky diodes were determined with two different methods by making the I-V measurements at 300K. According to Kunze Method, the idealite multipliers and barrier heights of the diode were found as 2.62, 2.78, 2.51, 2.05 and 0.99, 0.93, 0.97, 0.92 eV, respectively. And the idealite multipliers and barrier heights of the diyote according to Cheung Method were found as 2.63, 2.05, 1.33, 2.14 and 0.98, 0.91, 0.88, 0.91 eV, respectively.

PDF

___

1.Roderick, E. H. and Williams, R. H., (1988). Metal-Semiconductor Contacts, Claredon Pres, Second Edition, Oxford.
2.Sze, S. M., (1981). Physics of Semiconductor Devices, J. W. and Sons Inc. New York.
3.Okumura, T. and Keneshiro, C., (1999). Ideal GaAs Schottky Contacts Fabricated bu in Situ Photoelectrochemical Etching and Electrodeposition, Electronics and Communication in Japan, Part 2, 82, 5-12.
4.Kılıçoğlu, T., (1988). Anodik Oksitli Al/SiO2/Si Yapılarını Elektronik Özelliklerinin İncelenmesi, Doktora Tezi, D. Ü. Fen Bilimleri Enstitüsü, Diyarbakır.
5.Bozkurt, A., Ercelebi, C., Toppare, L., (1997). Electrical properties of polypyrrole/polyindene composite/metal junctions, Synthetic Metals, 87, 219-223.
6.Kanrto, K., Takashima, W., (2001). Fabrication and characteristics of Schottky diodes based on regioregular poly(3-hexylthiophene)/Al junction, Current Applied Physics, 69, 355-361.
7.Abrahagir, P. S., Saraswathi, R., (2000). Junction Properties of Metal/Polypyrrole Schottky Barriers, Journal of Applied Polymer Science, 81, 2127-2135.
8.Tagmouti, S., Oueriagli, A., Outzourhit. A., Khaidar, M., Ameziane, El. L., Yassar, A., Youssouffi, H. K., Garnier, F., (1997). Electrical and structural properties of refractory metal Mo/poly (3-methylthiophene) Schottky barrier diodes, Synthetic Metals, 87, 109-113.
9.Dağdelen, F., Doktora tezi, (2004). Metal-Kompleks Yarıiletken Schottky Diyotların Elektronik Özelliklerinin Belirlenmesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Elazığ.
10.Sekerci, M. ve Gülcan, M., (2003) XVII. Ulusal Kimya Kongresi, İstanbul.
11.Schroder, D. K., (1990). Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley and Sons Inc, New York.
12.Sharma, B. L., (1984). Metal- Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications, Plenum Press., New York and London.
13.Kunze, U. and Kowalsky, W., (1988). Characterization of Schottky barrier diodes by means of modilation technique. J. Appl. Phys. 63(5), 1597-1602.
14.Cheung, S. K. and Cheung, N. W., (1986). Extraction of Schottky Diode Parameters from Forward Current-Voltage Characteristics, Appl. Phys. Lett., 49(2), 85-87.