Bu çalışmada termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince organik film üzerine vakum ortamında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyot yapısı oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.

In this study, copper phthalocyanine (CuPc) was coated on p-InP crystal by using thermal evaporation method. The Al/CuPc/p-InP diode was fabricated by evaporating aluminum metal on the organic thin film in vacuum atmosphere. The current-voltage (I-V) measurement was carried out for Al/CuPc/p-InP diode at room temperature, in the dark and under illumination. By using I-V measurements, it has been seen that diode structure shows rectifying property. It has been used a light source of 100 mW/cm2 intencity and found that the diode has photodiode properties. Furthermore, the electrical parameters (ideality factor (n), barier height ( Φb) and series resistance (Rs) ) of the Al/CuPc/p-InP Schottky diode were calculated by different methods.