Didem Cansu İlhan, Şenol Başkaya

AlGaN/GaN tabanlı yüksek elektron hareketli transistörlerin SiC, Si ve Safir alt tabakalardaki ısıl davranışının sayısal olarak incelenmesi

Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi

2020-Cilt: 35 - Sayı: 4

2125-2134

yüksek elektron hareketli transistörler, sayısal analiz, güvenilirlik, AlGaN/GaN, ısıl direnç

196112

Benzer Makaleler

Al 0.3 Ga 0.7 N/GaN HEMT Yapısı için QMSA Metodu Uygulanması

Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi

Ahmet BİLGİLİ, Ömer AKPINAR, Naki KAYA, Mustafa ÖZTÜRK

III-Nitride quantum dots in nanowires: growth, structural, and optical properties

Turkish Journal of Physics

Bruno DAUDIN

Akış Kontrollü Sistemde Isıl Fırın Tasarımı ve İmalatı

Harran Üniversitesi Mühendislik Dergisi

Cengiz DOĞAN, Hüseyin KARASU

Yüksek Karbonlu Toz Metalurjisi Çeliklerinin Su Verme ve Temperleme Davranışlarına Ham Yoğunluk Etkisinin İncelenmesi

Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji

Tolga YILMAZ, Dilan Zehra SEVİNDİROĞLU, Atakan SUVAY

Deneysel parsiyel splenektomi modelinde sıçanlarda algan hemostatik ajanın kanama kontrolünde etkinliğinin araştırılması

Marmara Medical Journal

Ahmet MİDİ, Hüsamettin EKİCİ, ALİ KUMANDAŞ, Ömercan DURMUŞ, Buse BODİÇ, Mehmet Zahit TİRYAKİ, Mehmet Sabri BALIK, Erdem YEŞİLADA

Algan Hemostatik Ajan’ın Sıçan Renal Ven İnsizyon Modelinde Hemostatik Etkinliği

Harran Üniversitesi Tıp Fakültesi Dergisi

Dila ŞENER, Zeynep Kerime ŞANLI, Abdulaziz ABOUHOSA, Deniz Mukaddes TÜRET, Uğur ŞEKER

Aluminyum Al 7075-T6 için Balistik Davranışın Sayısal Analizi

Uluslararası Mühendislik Araştırma ve Geliştirme Dergisi

İbrahim UZUN, Serhat SÖZERİ, Selen SALİHOĞULLARI, Dilek DURAK, Zühtü Onur PEHLİVANLI

Yığma Kagir Tarihi Camilerde Deprem Yapısal Güvenlik Değerlendirmesi: Ampirik ve Sayısal Yöntemlerin Karşılaştırılması

A+Arch Design International Journal of Architecture and Design

Meltem VATAN, Ahmet KAPTAN