Vitaliy AVRUTIN, Shopan A. HAFIZ1, Fan ZHANG, Umit ÖZGÜR, Enrico BELLOTTI, Francesco BERTAZZI, Michele GOANO, Arvydas MATULIONIS, T. Adam ROBERTS, O. Henry EVERITT, Hadis MORKOC
269-313
Light emitting diodes, III-nitrides, GaN, InGaN, efficiency droop, Auger recombination, carrier overflow
Light emitting diodes, III-nitrides, GaN, InGaN, efficiency droop, Auger recombination, carrier overflow
III-Nitride quantum dots in nanowires: growth, structural, and optical properties
A. Kürşat Bilgili, Ömer Akpınar, Gürkan Kurtuluş, M. Kemal Öztürk, Süleyman ÖZÇELİK, Ekmel Özbay
Erzincan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
XRD vs Raman for InGaN/GaN Structures
A.Kürşat BİLGİLİ, Ömer AKPINAR, M. Kemal ÖZTÜRK, Süleyman ÖZÇELİK, Ekmel ÖZBAY
Photo- and electroluminescence behavior of biphenyl containing conjugated polymer
Tuğba KAYA DENİZ, Doğukan Hazar APAYDIN, Ali Can ÖZELÇAĞLAYAN
Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
Quantum Efficiency Improvement of InGaN Near Ultraviolet LED Design by Genetic Algorithm
Sakarya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
İrem ALP, Bilgehan Barış ÖNER, Esra EROĞLU, Yasemin ÇİFTCİ
Fluorescent Proteins For Color-Conversion Light-Emitting Diodes
Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi