Ni/Au/n–Si yapısının akım–voltaj, kapasitans–voltaj ve kondüktans–voltaj karakteristikleri cihazın seri direnç ve ara yüzey durumlarının deneysel etkilerini incelemek için incelendi. Yapının akım–voltaj karakteristikleri 100K–380K sıcaklıkları aralığında 40K lik artışlarla ölçüldü. Ayırca, yapının kapasitans–voltaj ve kondüktans–voltaj karakteristikleri 100kHz–1MHz aralığında oda sıcaklığında ölçüldü. Elde edilen sonuçlar Ni/Au/n–Si yapısının elektronik cihaz uygulamaları için iyi bir aday olduğunu göstermiştir.

In order to explain the experimental effect of series resistance and interface states of device on current–voltage, capacitance–voltage and conductance–voltage characteritics of Ni/Au/n–Si structure have beeen investigated. Current–voltage characteritics of structure have beeen measuremed in the temperature range of 100K–380K by steps of 40K. In addition, capacitance–voltage and conductance–voltage characteristics of structure have beeen measuremed in the frequency range of 100kHz–1MHz at room temperature. The obtained results show that the Ni/Au/n–Si structure is a good candidate for the electronic device applications