Mustafa SÖNMEZ

ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ

INCREASING THE BREAKDOWN VOLTAGE OF BJT'S AS SWITCHING DEVICES

Pamukkale Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi

1997-Cilt: 3 - Sayı: 3

399-403

Dayanma gerilimi, Anahtar elemanı, BJT transistör

Breakdown voltage, Switching devices, BJT transistor

9646

Benzer Makaleler

Yapay Sinir Aglari ile Bipolar Transistorun Matematiksel Modelinin Olusturulmasi

Electronic Letters on Science and Engineering

Burhan BARAKLI, Suayb YENER, Evren ARSLAN

Photo Organic Field Effect Transistor´s Properties

Turkish Journal of Physics

Khasan S. KARIMOV, İbrahim QAZI, M. Mahroof TAHIR

ELEKTRONİK DENEY MODÜLLERİNİN LabVIEW İLE KONTROLÜ

Uluslararası Teknolojik Bilimler Dergisi

Akif KUTLU, Ceyhan TURAN

A Comparative Study of Radiation Doses and Treatment Area Dependence in Thermoluminescence Dosimetry Systems and Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors / Radyasyon Dozu ve Tedavi Alanı Bağımlılıklarının Termolüminesans Dozimetre Sistemleri ve

Turgut Özal Tıp Merkezi Dergisi

Eda Kaya Pepele, Songül Barlaz Us, Kadir Yaray, Celalettin Eroğlu, Bahar Dirican, Serdar Soyuer

TMDC Tabanlı Alan Etkili Transistörlerde Ambipolaritenin Kanal Kalınlığına Bağımlılığının Araştırılması

Erzincan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi

Merve ACAR, Mehmet ERTUGRUL

VLSI-cell placement technique for Architecture of Field Programmable Gate Array (FPGA) design

Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Science

Avnesh VERMA, Sunil DHINGRA, M. K. SONI

Nano Sistemlerde Hücreler Arası Haberleşmenin Analiz Edilmesi

Zeki Sistemler Teori ve Uygulamaları Dergisi

İbrahim IŞIK, M. Emin TAĞLUK, Esme IŞIK

Statistical Model of Hot-Carrier Degradation and Lifetime Prediction for P-MOS Transistors

Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Science

Fırat KAÇAR, Ayten KUNTMAN, Hakan KUNTMAN