Bu çalışmanın amacı galyum-arsenit'in karakteristik özelliklerinin geleceğe ilişkin öneminin gözden geçirilmesidir. Çalışmada galyum-arsenit teknoljisinin halihazırdaki durumunun gerçek bir ifadesi arzedilmekte ve bu geleceğe ait düşünülen büyük ihtimalleri realize etmeye yardımcı olmaktadır. Galyum-arsenit entegre devre teknolojisi tarihi bakımdan geleceğin teknolojisi olarak görülmektedir. Şu anda henüz tam anlamıyla geniş bir uygulanabilirliğe kavuşamamışsa da gittikçe benimsenmekte ve mevcut yüksek-hızlı entegre devrelerin ticari kaynağını oluşturmaktadır. Galyum-arsenit'ten yapılan yüksek-hızlı lojik devreler, hesaplama ve işaret işleme gibi sahalarda ümit vermektedir. Geçen onbeş-yirmi yıl, galyum arsenit teknolojisinin laboratuvardan piyasaya çıkışını sergilemektedir. Bu yenilikler, ilk zamanlarda dijital ve analog uygulamaların her ikisine ait tek bir cihazdan başlayarak zamanla daha kompleks entegre devre cihazlarına geçişteki karmaşıklığın korkunç gelişimini bir arada götürmektedir. Galyum-arsenit devrelerinin karmaşıklık seviyesi ve hızının her ikisinde birden ileriye dönük çalışmalara ait ana prensipleri ortaya koyan hedefler, yeni yayın teknolojisi, münferit haberleşme ve oldukça hızlı bilgisayarlar gibi sahalardaki müşterek gereklilikleri artırmaktadır.

The object of this work is to review the important for the future and the characteristic properties of gallium - arsenide. On this work, a realistic statement of current status of gallium-arsenide technology will provide and for future this will help to realise the enormous possibilities which we believe lie ahead. Gallium-arsenide integrated circuit technology has historically been portrayed as the technology of future. Now although it has not attained the wide complete applicability, it has gradually becoming an accepted and commercially available source of high-speed integrated circuits. High-speed logic circuits fabricated in gallium arsenide have shown promise for applications such as computing and signal processing. The past fifteen-twenty years have seen the emergence of gallium-arsenide technology from laboratuary to the market place. This innovations have been accompanied by dramatic increases in complexity from early single devices to the integrated circuits of considerable complexity for both digital and analogue applications. The aims to lay down sound principles of forthcoming developments in which both the speed and level of the complexity of gallium-arsenide circuits will increase dramatically meeting needs in such as areas as ultra fast computers, personnel communications and new broadcasting technology.