AlxGa1-xAs kristalinde x'in çeşitli oranlarda seçimi yapılarak kırılma indisine istenilen değişimin verilmesiyle, elektromanyetik dalga ve enjekte edilen taşıyıcıların (akımın) lazerin aktif bölgesinde aynı anda tuzaklanmalarını gerçekleştirmek için yapılan GaAs/AlxGa1-xAs heterojonksiyon (farklı yapılı eklem) yapılar vasıtasıyla meydana getirilen yarıiletken lazerlerle optik kazanç sağlanır. Fiber glas liflerinde enformasyonun nakli de aynı esasa dayanır. Bu çalışmada fiber glas ve yarıiletken lazerlerde optik kazancın değişimine etki eden faktörler incelenmektedir.

In AlxGa1-xAs choosing x in various per cent of aluminium it is obtained the changing of the index of refraction of the material. So, formed semiconductor lasers by making GaAs/AlxGa1-xAs heterojunction structures with changing the refractive index to confine the electromagnetic waves and injected carriers (current) in active of laser in time gives optical gain. It is also based the same method the transmission of the information. In this work in fiber glass and semiconductor lasers the effecting factors to change the optical gain are investigated.