Makaleler     Dergiler     Kitaplar    

Journal of Qafqaz University

Yıl 2009 , Cilt , Sayı 29

Makale özeti ve diğer detaylar.

Makale özeti
Başlık :

фрактальные исследования границы раздела кмп al‐ticu/n‐si

Yazar kurumları :
БГУ НИИ Проблем Физики1
Görüntülenme :
91
DOI :
Özet Türkçe :

Исследованы ВАХ диодов Шоттки Al‐TiCu/n‐Si с поликристаллической металлической пленкой в тем пературном диапазоне (298‐458)К. Зависимости характеристик от температуры и напряжения объясненычетомполикристаллической структуры металлической пленки. Определена электрически активная площадь диодов, вычислена фрактальная размерность по аналогии с «ковром Серпинского».

Özet İngilizce :

I‐V characteristics of Al‐TiCu/n‐Si Schottky diodes with polycrystalline metal film have been investigated in the temperature range (298‐458)K. Dependence of the characteristics on the temperature and voltage are explained in the light of polycrystalline structure of metal film. The electrically active area of diodes and the fractal dimension have been calculated by analogy with the Sierpinski carpet.

Tam metin (Türkçe) :
Paylaş :
Benzer Makaleler
Yorum Yap
  • Adınız :
  • Güvenlik Kodu :
  • Yorum :